Descripción
General
capacidad 8 gb
tipo de actualización genérica
memoria
tipo dram
tecnología ddr4 sdram
factor de forma so - dimm de 260 espigas
altura del módulo (pulgadas) 1.18
velocidad 2666 mhz (pc4 - 21300)
tiempos de latencia cl19 (19 - 19 - 19)
comprobación integridad datos no ecc
características fila única -on - die terminatión (odt) -seríal presence
detect (spd) -sin búfer
configuración de módulos 1024 x 64
organización de los chips 1024 x 8
tensión 1.2 v
blindaje de conector oro
diverso
cumplimiento de normas rohs -libre de halógenos
capacidad 8 gb
tipo de actualización genérica
memoria
tipo dram
tecnología ddr4 sdram
factor de forma so - dimm de 260 espigas
altura del módulo (pulgadas) 1.18
velocidad 2666 mhz (pc4 - 21300)
tiempos de latencia cl19 (19 - 19 - 19)
comprobación integridad datos no ecc
características fila única -on - die terminatión (odt) -seríal presence
detect (spd) -sin búfer
configuración de módulos 1024 x 64
organización de los chips 1024 x 8
tensión 1.2 v
blindaje de conector oro
diverso
cumplimiento de normas rohs -libre de halógenos
